IGBT是“绝缘栅双极转换器”的首字母缩写，中文名叫“绝缘栅双极晶体管”。通过结合MOSFET和双极晶体管，IGBT成为一个具有两种器件优点的功率晶体管。IGBT有两种类型：N沟道型和P沟道型。本文以主流的N通道类型为例进行介绍。

N通道IGBT及其等效电路的电路图符号如下。有些等效电路图会更详细，但为了便于理解，这里给出一个相对简单的原理图。包括结构，实际产品会更复杂。关于该结构的细节将在后续文章中介绍。

IGBT有三个引脚：栅极、集电极和发射极。栅极和MOSFET一样，集电极和发射极和双极晶体管一样。IGBT像MOSFET一样通过电压控制端口。在N沟道型的情况下，对于发射极，当向栅极施加正电压时，集电极-发射极导通，集电极电流流动。我们将分别介绍它的工作方式和驱动方式。

如前所述，IGBT是一种结合了MOSFET和双极晶体管优点的晶体管。由于MOSFET的栅极是隔离的，所以具有输入阻抗高、开关速度快的优点，但缺点是高压时导通电阻高。双极晶体管即使在高电压条件下也具有低导通电阻，但是它们具有低输入阻抗和慢开关速度的缺点。通过弥补这两种器件的缺点，IGBT成为一种即使在高电压条件下也具有高输入阻抗、高开关速度*和低导通电阻的晶体管。

*开关速度比MOSFET慢，但比双极晶体管快。

IGBT、MOSFET等功率器件根据应用产品的应用条件和要求适当使用，用于不同的应用场合，如高压应用的IGBT，低压应用的MOSFET。

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